知识产权业务负责人畅文芬：本土厂商第三代半导体专利布局有“喜”有“忧”

6月10日，由爱集微主办，张江高科协办的《后摩尔时代下第三代半导体的技术趋势》论坛于上海举办，邀请到来自第三代半导体产业链各环节厂商，电动车、快充、新型新显示厂商，以及产业研究学者，行业分析师等，共同探讨行业发展趋势。

爱集微知识产权业务负责人畅文芬带来了主题为《本土厂商第三代半导体专利布局现状和国际大厂的差距》的演讲。

嘉勤知识产权代理有限公司成立于2019年，是“爱集微”为服务于行业会员客户的知识产权需求所设立的一家具有代理资质的代理机构，愿景是打造“通讯和半导体领域卓越的知识产权服务提供商”。

据畅文芬介绍，半导体材料发展至今，先后经历了三次变革。第三代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体。其具有抗高压、抗高温、抗辐射、能承受大功率特性，主要应用在高功率器件，例如新能源汽车和5G射频器件。

“虽然讲一代、二代、三代，但并非简单的取代关系，行业足够大、需求足够多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。”畅文芬说道。

目前第三代半导体的企业现状是Cree、罗姆、英飞凌等国外大厂实现从SiC衬底、外延、设计、器件及模块制造的全产业链布局。而我国研究开始较晚，起步于2013年科技部的“863”计划，将第三代半导体材料列为重要内容。

从第三代半导体专利的布局来看，德国英飞凌早在1991年就开始布局，2001年该公司便已推出了SiC二极管产品。

其次是美国科锐Cree的专利布局比较完整，覆盖了第三代半导体的全产业链且在全球的分布较广。据悉，Cree是全球最大的SiC衬底和器件制造商，完整覆盖了从SiC衬底、外延、器件以及模块的全产业链。SiC衬底全球市场份额接近40%，SiC器件的全球市场份额达到62%。

从国内厂商来看，山东天岳的三代半专利数量最多，早在2003年便开始进行相关专利的布局，不过专利布局仅局限在国内。

其次是泰科天润，从2013年开始第三代半导体专利的申请。畅文芬指出，泰科天润投资项目于2019年年底正式开建。项目分两期建设，一期总投资5亿元，主要建设6英寸碳化硅基电力电子芯片生产线，生产碳化硅芯片等产品。值得一提的是，泰科天润专利布局同样局限在国内。

接下来是海威华芯，2015年开始布局，在中国率先提供6英寸砷化镓加成电路的纯晶圆代工，在砷化镓领域国内外领先。

“不过中外厂商三代半专利布局仍有一定的差距。”畅文芬警告称。

最后，畅文芬总结了我国本土厂商第三代半导体专利布局的“喜”与“忧”。“喜”表现在专利申请量国内外差距逐渐缩小、国内企业的数量增加迅速和早期专利已过期，可有效的借鉴利用已公开的专利技术；“忧”体现在布局过窄，后面无法走出去占领国际市场；技术发展的时间过短，沉淀不够，从而导致创新后劲不足；专利价值国内相比国外稍低，也意味着国内竞争性的核心技术偏少。

（木棉）